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硅外延片 检测介绍
硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料，主要用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同，硅外延片分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。轻掺杂衬底外延片通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧化层完整性、改善沟道漏电、提高集成电路可靠性；而重掺杂衬底外延片结合了重掺杂衬底片和外延层的特点，在保证器件反向击穿电压的同时又能有效降低器件的正向功耗。中科检测可提供硅外延片检测服务，检测报告具备CMA资质。
硅外延片 检测项目
晶向、电阻率及径向电阻率变化、厚度及径向厚度变化、晶体完整性、表面金属、质量等
硅外延片 检测标准
GB∕T 14139-2019 硅外延片
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 6617 硅片电阳率测定扩展电阳探针法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 12964 硅单晶抛光片
GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14141 硅外延层、扩展层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法
GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定，汞探针电容-电压法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
YS/T 28 硅片包装
硅外延片检测 服务优势
资质齐全：中科检测具备市场监管局授权的CMA资质以及中国合格评定委员会认可的CNAS资质。
服务网络：中科检测全国实验室遍布，为您提供全面完善的一站式整体技术解决方案。
专业实验室：中科检测拥有10000余平方米专业检测实验室，配备各领域检测专用高精端进口仪器万余合／套。
权威机构：中科检测是国科控股旗下独立第三方检测机构，为各种公司、机关事业单位、司法机关等量身提供检验检测。
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