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硅片隐裂 检测介绍
隐裂是指硅片表面或内部存在微裂纹或裂痕，这些裂纹在裸眼或常规光学显微镜下难以观察到，但会对硅片的性能和稳定性产生不利影响。中科检测可提供硅片隐裂检测服务，检测报告具备CMA资质。
硅片隐裂 检测方法
1. 暗场散射法：入射光被硅片表面反射，若硅片存在微裂纹缺陷，则入射光在微裂纹区域的散射会加强。在暗室环境中，通过成像系统对硅片成像并分析散射光强的分布即可识别出硅片中的微裂纹缺陷。
2. 明场透射法：入射光透射过硅片表面，若硅片存在微裂纹缺陷，则微裂纹区域的透射光强较正常区域低，通过成像系统对硅片成像并分析透射光强的分布即可识别出硅片中的微裂纹缺陷
硅片隐裂 测试环境
温度:18 ℃~35 ℃，且应保持恒温
湿度：相对湿度≤65%
洁净度:不低于8级洁净室
硅片隐裂检测 检测标准
SJT 11632-2016 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25074 太阳能级多晶硅
GB/T 25076 太阳电池用硅单晶
硅片隐裂检测 服务优势
实力保障：国科控股旗下独立第三方检测机构
周期更短：5-10个工作日可出具检测报告
优质服务：工程师1对1服务，全程项目跟进
技术先进：科研院所技术沉淀，先进仪器设备
严谨公正：公正、科学、准确、高效
多家分部：接受全国上门取样/寄样服务
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