退火片检测

退火片是在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷的硅片。中科检测开展退火片检测服务，检测报告具备CMA、CNAS资质。

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退火片检测介绍

退火片是在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷[包括晶体原生巴坑(COP)]的硅片。中科检测开展退火片检测服务，检测报告具备CMA、CNAS资质。

退火片检测项目

1. 基本要求：生长方式、晶向、晶向偏离度、导电类型、掺杂剂、晶体中共掺杂、电阻率、径向电阻率变化、氧含量、径向氧含量变化等
2. 几何参数：厚度及允许偏差、总厚度变化、翘曲度、局部平整度
3. 表面质量：局部光散体、划伤总长度、雾、光泽度、表面沾污、其他缺陷
4. 表面金属含量：钠、锌、钙、镍等
5. 其他性能：氧化诱生缺陷、体金属(铁)含量、洁净区宽度(DZ)、体微缺陷密度(BMD)

退火片检测标准

GB/T 26069-2022 硅单晶退火片
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 12962 硅单晶
GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 29504 300mm硅单晶
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法
GB/T 29508 300 mm 硅单晶切割片和磨削片
GB/T 32280 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法
GB/T 39145 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
YS/T28 硅片包装
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法